武汉大学付磊团队报道了二维高熵过渡金属二硫族化物单晶的合成。相关研究成果于2024年12月26日发表在《美国化学会杂志》。

　　二维（2D）高熵过渡金属二硫化物（HETMDs）因其结构特性和高端器件的相关可能性，而引起了人们的极大兴趣。然而，由于合成中不同金属元素的固有特性存在差异，如前体的饱和蒸气压和产物的形成能，2D HETMDs的受控合成面临着巨大的挑战。

　　该文中，研究人员介绍了通过液相反应系统，合成厚度为0.92nm的2D HETMD单晶，其中金属元素均匀、同时进料凯发游戏官网app。不同前体的快速共沉积有助于形成高熵产物凯发游戏官网app，从而防止相分离。

　　该方法可以扩展到生产各种2D HETMDs，如五元（MoNbTaV）S2、六羟基（MoWNbTaV）S1和多卤素化合物（MoWNb）SSe凯发游戏官网app。所制备的2D HETMD是析氢反应（HER）的优秀催化剂，在10mA cm-2的单个晶体上显示出84mV的过电位，这比原始MoS2的过电位（在10mA cm-2下为260mV）要好得多。

　　该策略提供了在2D条件下下人工设计，HETMD单晶的元素选择性和性能的灵活性，使其能够在广泛的先进领域得到应用。

　　JACS：《美国化学会志》，创刊于1879年。隶属于美国化学会凯发游戏官网app凯发游戏官网app，最新IF：16.383作业保护用具非周期性速度波动过渡链节蜗杆蜗轮机构导块磨具机床刀尖头数凯发游戏官网app